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三星領先全球推出16GB DDR4伺服器模組 Z
2012/07/03-嚴思涵 三星電子(Samsung Electronics) 7月3日領先業界推出30奈米級4Gb DDR4顆粒，可用於伺服器DRAM模組。

三星2010年12月首度研發出30奈米級2GB DDR4模組，2012年6月以CPU和控制器業者為對象推出高性能16GB及8GB DDR4 RDIMM(Registered Dual Memory Module)模組。

放大 三星推出以32顆4Gb　DDR4顆粒組成的16GB　DDR4伺服器用模組。三星電子

比起目前量產中的4Gb DDR3 DRAM顆粒，30奈米級4Gb DDR4顆粒的驅動電壓僅需1.2V，耗電量減少40%，且資料處理速度約提升到目前每秒1600Mb的兩倍，可架構低耗電、高性能的伺服器系統。

DDR、DDR2、DDR3及DDR4在以一次訊號處理2項資訊方面是相同的，然而通訊頻寬和驅動電壓卻有差異。DDR的頻寬為266M~400M、DDR2為400M~800Mbps、DDR3為800M~1.6Gbps、DDR4為2.133G~3.2Gbps。驅動電壓則各為2.5V、1.8V、1.5V和1.2V。

三星副社長洪完勳表示，三星推出大容量DDR4伺服器產品，CPU和伺服器業者一起更積極地推動研發新世代高性能綠色IT系統。未來三星計劃量產20奈米級DDR4產品，搶攻企業伺服器等高階記憶體市場，強化三星在綠色記憶體的競爭力優勢。


三星2012年下半將在記憶體規格制定會議JEDC(Joint Electron Device Engineering Council)中確定DDR4的標準規格，並量產32GB RDIMM等伺服器產品。


DIGITIMES中文網 原文網址: 三星領先全球推出16GB DDR4伺服器模組 http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?CnlID=1&Cat=40&Cat1=&id=0000290952_3GLLZ7DG4X3PT53VETZXP&query=DRAM#ixzz209fTCBQf