美光的2012會計年度第3季(2012年3~5月)已是連續4季虧損，主要是DRAM和NAND Flash兩大產品線都是賠錢，其中DRAM事業部虧損7,600萬美元，但已較上季大虧1.67億美元有大幅度的改善，是拜DRAM報價從年初起開始止穩，且合約價格每月穩步上揚所賜，但明顯目前價格仍未能讓公司轉虧為盈。

在NAND Flash事業群方面，美光上季還獲利9,700萬美元，但2012會計年度第3季卻由盈轉虧，小虧100萬美元，當季的平均售價(ASP)下跌39%；在3~5月期間，甚至是回溯至2012年首季或2011年第4季，NAND Flash報價幾乎是呈現崩盤式跌法，外界對NAND Flash廠開始賠錢一事並不感意外。

整體來看，美光2012年第3季營收21.72億美元，單季毛利率為11%，較上季10%有小幅改善，單季淨損為3.2億美元，每股虧損0.32美元；對於會計年度第4季的展望，美光認為DRAM價格可持平，NAND Flash報價則小幅下滑。

6月份的DRAM和NAND Flash有了不同的趨勢。原本從2012年初即一路調漲的DRAM合約價，5月下旬漲勢放緩，6月出爐的合約價則是持平，根據TrendForce統計，4GB記憶體模組價格約21.25美元，2GB記憶體模組均價為11.25美元左右。

記憶體業者表示，DRAM廠對於合約價談判是明顯偏多，尤其龍頭廠三星電子有意拉抬合約價，業界也感到振奮，然PC OEM卻是不買單，主要是6月目前系統廠庫存水位不低，且歐洲債信問題讓全球經濟前景蒙上不確定性因素，PC出貨成長率一再下修，因此PC OEM廠不急著高價備庫存，預計7月合約價仍是持平機率高。

不過，即時DRAM合約價無法延續成長動能，但業界普遍都認為DRAM產業景氣最壞的時間點已過，下半年即使漲勢放緩，但至少不會再惡化，隨著各廠製程微縮推進，可讓虧損幅度縮小。

在NAND Flash合約價方面，反而是下跌很久的晶片報價開始有止跌回穩的趨勢，6月的NAND Flash合約價跌幅也明顯進一步縮小，僅小跌5%以內。

記憶體業者認為，經過報價大崩盤的洗禮後，上游NAND Flash供應商已來到虧損邊緣，從美光日前公布的財報可知，原本會計年度第2季NAND Flash事業部門還大賺錢的情況，到了第3季卻開始虧損，因此上游供應商也開始惜售，不會再降價出售，且同時也嚴格挑選客戶，此策略暫時讓市場的NAND Flash合約價走向止穩。

展望第3季NAND Flash價格走勢，在供給端已獲得控制下，終端需求的買氣變的很重要，相關業者也坦承，這一波NAND Flash晶片價格、小型記憶卡microSD、隨身碟價格的止穩，主要來自於下游通路商認為價格不會再跌，因此開始補貨。但實際上消費端的買氣仍是不佳，面對歐洲、美國等主流市場景氣不好，加上大陸在五一價格後的需求也沒有回升，後續需求的確值得再觀察。

在隨身碟方面，由於英特爾(Intel)的新一代處理器IvyBridge支援USB 3.0功能，市場對於下半年USB 3.0隨身碟需求也值得期盼；根據TrendForce也統計，在20奈米世代64Gb的 TLC(Triple-Level Cell)型NAND Flash比重提升下，2012年第2季8GB容量隨身碟可以首度超過4GB成為主流。

圖說：全球景氣不佳，且PC OEM廠庫存水位相當高，DRAM廠拉抬合約價很吃力，6月僅持平開出。李建樑攝