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今年4月間的時候，Intel曾經宣佈將與美光 (Micron)針對NAND Flash產品合資一家IM Flash Technologies公司，同時將以20nm製程技術進行生產，目前也正式宣佈旗下首款20nm製作的64GB NAND Flash已經準備量產，同時在明年上半年度將進行128GB版本的量產。

根據Intel近期所發布的新聞稿內容來看，今年四月間與美光所合資的公司IM Flash Technologies已經研發出全球首款單片128GB容量的NAND Flash，主要透過20nm製程技術進行製作，並且在其中採用多層感測技術 (multilevel sensing)，以及在NAND生產過程中即整合HKMG閘極堆疊的應用，將使NAND Flash有體積小、傳送速率更快的特性。

目前首波64GB版本將於2011年12月期間開始量產，而128GB版本則將在2012年上半年度才會進入量產階段，相關樣品則將會在1月期間釋出給相關合作產業參考使用，根據官方說法，目前新款NAND Flash將對應智慧型手機、平板裝置與SSD可達333MT/s的傳輸速率，透過8組128GB晶片的記憶體模組則可提供TB等級的儲存空間，進一步讓平板或手機使用空間可以變得更大。