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2012/10/19-連于慧 半導體製程微縮逼近極限，微影技術成為最大挑戰，雖然全球半導體都壓寶在極紫外光(EUV)機台身上，然NAND Flash馬上要進入1x/1y奈米製程階段後，微縮瓶頸就在眼前，EUV技術遠水救不了近火，因此各種不同的NAND Flash架構被提出，3D NAND技術被認為是最快的解決方案，旺宏18日在SEMATECH研討會中也強調看好3D NAND技術。

解決製程微縮瓶頸的方式有不少選擇，但在全球資金都投入ASML之後，EUV技術變成全球眾望所歸主流，但ASML也坦承，目前的機台技術離經濟規模量產還有一段距離，而不同領域的半導體客戶對於EUV機台有不同的期待和需求。

放大 台系記憶體大廠旺宏看好3D　NAND技術，可快速先解決NAND　Flash技術瓶頸。李建樑攝

由於記憶體晶圓線條規則且方向一致，一個光罩可能只要曝光四次就夠，但晶圓代工和邏輯產品就複雜許多，線與線之間的等距相異，因此需要曝光多次，到了10奈米以下，如果還在用多重曝光(Multi-Pattering)技術去作，不是不可以，但會因為曝光太多次而導致成本非常高。

因此，晶圓代工和邏輯產業對於解除顯影技術的瓶頸是需求孔急，但反之，記憶體業者對於曝光次數要求則沒那麼多。

惟眼前面對的問題是，DRAM晶片在20奈米製程以下就會面臨微縮困難，而NAND Flash則是在1x/1y奈米製程以下面臨挑戰，這都是馬上會來臨的問題。

因此，對記憶體業者，尤其是快閃記憶體業者而言，勢必是無法等EUV機台技術成熟，製程技術無法再微縮的問題已蒞臨眼前，各界已提出非常多的不同技術作為解決之道，而3D NAND技術是最被看好能快速解除瓶頸的方式。

台系記憶體大廠旺宏18日在SEMATECH研討會中重申看好3D NAND技術，同時也看好不同的新記憶體技術持續被研發。 ASML也參加SEMATECH研討會，公司表示甫宣佈買下光源供應商Cymer，就是為了快速解決光源這個瓶頸問題，加速EUV技術開發。

ASML也指出，雖然買下Cymer，但也承諾客戶會在機台設備的設計上，不論是248、193浸潤式微影機台(Immersion Scanner)或是極紫外光(EUV)機台，都可以相容不同於Cymer供應的雷射光源，以利客戶對於光源供應有不同的需求。

ASML買下Cymer除為了加速18吋機台開發之外，另一目的也可協助客戶降低採購雷射光源的成本。進一步表示，絕對要加速EUV開發的速度，因為半導體產業不斷前進，市場不等人，因此公司才決定把大多數的資源投入最先進的技術領域，而光源絕對是EUV瓶頸，預計進一步結合Cymer技術和ASML繼有的技術基礎，可快速達到客戶要求。

ASML之前已出貨6台pre-production的EUV機台(NXE:3100)給台積電、英特爾、三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、GlobalFoundries、IMEC。公司也承諾客戶將推出量產機台(NXE:3300B)，且目標是在2014年達到每小時生產69片晶圓目標，終極目標是每小時產出達125片晶圓。

而對照目前浸潤式微影機台每小時的產出片數可達230片，代表一天可曝光5,000片晶圓。


DIGITIMES中文網 原文網址: NAND Flash製程微縮　將以3D NAND先應急 http://www.digitimes.com.tw/TW/DT/N/SHWNWS.ASP?CNLID=1&QUERY=台積電&CAT=40&ID=0000307769_03J6XUFD7D36QM8CHTOUG&CAT1=#ixzz29xVxKJvN