記憶體產業剖析 = 8299群聯 + 3553力積 @ Keep Rock

記憶體產業剖析
回應(0) 人氣(3830) 收藏(3) 2010/03/17 00:00 (康和證券提供)
壹、記憶體體產業與產品成長率回顧—歷經三年衰退，10年重新向上

http://210.59.225.110/KMDJ/Report/ReportViewer.aspx?a=4b3955c9-5cc7-4a75-8a0f-a38d77b25bbd
Source：TRI，康和整理

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Source：TRI，康和整理

2009年受到PC需求端的持穩、台灣DRAM產能減產、及Qimonda退出市場的因素，上半年價穩後，下半年伴隨量增的助益，衰退幅度已見緩和，2009年整體產值較2008年下滑14.83%。

2010年，供給面在平價PC及NB需求的持續帶動下成長，供給面在先進製程產能的不足，限縮了供給，整體而言2010年將延續2009年價量齊揚的局面，產值將較2009年成長15.85%。

貳、記憶體供需態勢與10年報價趨勢
http://210.59.225.110/KMDJ/Report/ReportViewer.aspx?a=4b3955c9-5cc7-4a75-8a0f-a38d77b25bbd
Source：TRI，康和整理

在中國市場需求強勁及歐美市場逐漸復甦，預估1H10年有向下修正壓力，但在DDR2~DDR3規格轉換時期，舊規格供給下降但需求仍在下，預估DDR2在淡季價格仍將有所支撐，時至3Q才會開始有較為明顯滑落。DDR3部份，初期供給有限，在2Q各大品牌PC廠皆陸續推出新機種，DDR3需求量增加幅度提升，因此傳統淡季2Q價格將低檔有限。年中起預估Windows 7換機效應開始發酵，配合2H10旺季效應帶動需求力道上揚，預估3Q在全年產能提升有限下，DRAM供給將出現短缺現象。整體而言，2010年全年價格將低檔有限，出現小漲狀況。

參、10年各季產品比重

10年下游品牌廠新機種大多集中於2Q開始推出，1Q所販售的機種仍延續去年推出時的規格採用DDR2因此1Q主流仍為DDR2。當時序進入2Q時，品牌大廠陸續推出新機種，依各大廠產品規劃而言，10年所推出的新機種大多採用DDR3，因此DDR3在2Q即會成為市場主流。對應到DRAM製造廠而言，在10年呈現小幅供需缺口的情況下，越能掌握DDR3產能的公司，越有機會在這波產能復甦的浪潮下掌握勝算。

肆、5Xnm是2010年主戰場

Source：IEK，康和整理

全球DRAM場中，以南韓廠商Samsung、Hynix財務狀況最為健全，在財務無虞下，最有能力導入製程演進，因此在全球DRAM廠中以Samsung、Hynix導入5x奈米最積極，2009年底比重拉至50%，1H10仍然是韓廠的轉換高峰期。同時Samsung、Hynix也同時積極跨入4x nm，到現在為止，Samsung已宣布4x nm試產成功，預估最快要到4Q10中才可量產，同時台廠美光陣營的南科、華亞科也宣佈4x nm的轉換時程提前。整體2010年而言，掌握產能與製程轉換的關鍵場家將是市場勝利者，預估Samsung、Hynix、Micron+Nanya+Inotera將擴大市佔率，為主要贏家。

伍、外溢效果將蔓延至利基型記憶體

依2010年記憶體供需態勢而言，一般型DRAM在報價持續有所表現，且產能充有限的情況下，一般型記憶體缺貨的情況將會外溢至利基型記憶體上，同時間，在09年遭逢金融海嘯，各廠新品推遲時程紛紛延後至10年，因此10年除了一般型記憶體需求大幅提昇外，利基型記憶體在一般消費品，例如LCD TV、手機、網通等各類需求皆隨著市況轉好與開發中國家傾國家之力大力推廣上述需求而將呈現大幅提升，預估DRAM IC Design House將因此受益。因此10年記憶體產業在一般型與利基型皆有相當幅度的增長下，10年將是記憶體美好的一年。

陸、NAND FLASH市況仍需看apple臉色

根據TRI研究指出，NAND FLASH在10年成長率為10.29%，不及DRAM的23.35%。台廠著墨於NAND FLASH廠商較著名的有群聯，製造端則少有著墨。整體NAND FLASH供需市場中，以apple在需求端佔舉足輕重的地位，因此在10年NAND FLASH報價情況將依循apple新品推出時程與銷售狀況而有所波動。在10年apple首波重要產品iPad因代工廠缺料，導致首批產品將僅只鋪貨30萬台，此現象預計到5月才可完全紓解，依照過去apple拉貨經驗而言，將提前4~6週開始大量拉貨，此時報價將開始有所反應，而與相關個股因與報價連動性較高，股價將因此受到激勵。

柒、結論

在經歷3年慘澹經營後，2010年隨著Windows 7推出帶動換機潮即將引爆，需求將大幅提升。而供給面在過去3年慘澹經營下呈現保守狀態，再加上2009年市況蕭條，使得各家廠商產能擴充停滯不前，在這諸多因素配合之下，造就了2H09的曙光乍現，2010年的邁向復甦。除了眾所皆知的製造廠製程競賽外，在利積型記憶體亦呈現百花齊放的狀態，美好的情況不只瀰漫在製造廠，上游的設計端與下游的封測、模組廠亦雨露均霑。在預期3Q會呈現缺貨的情況下，下游模組廠將提前至2Q開始為旺季備庫存，因此將造成報價淡季不淡，低檔有限的情況，整體預估全年低點將落在2Q，3~4月將是中線佈局時點。

捌、個股介紹

8299群聯
群聯09’4Q營收78.98億元，QoQ+15.2%，YoY+82.51%，4Q毛利率因Flash價格上揚，因此4Q毛利率較3Q增加上揚，預估4Q毛利率15.28%(3Q毛利率13.79%)，4Q稅後盈餘6.37億元，每股稅後盈餘4.34元，09年每股稅後盈餘13.43元。整體而言4Q財報符合預期。

營收方面，09’4Q營收78.98億元，QoQ+15.2%，YoY+82.51%，10’1Q營收68.65億元，QoQ-13.08%，YoY+58.86%，1月營收25億元左右，MoM+10%，2月營收因農曆春節效應，預期將較1月下滑，3月營收將有機會較2月上揚，1Q因淡季效應，毛利率將較4Q下滑，預估1Q毛利率約13.1%。目前庫存約30億元，約36天(近兩年存貨週轉天數平均為40天)，屬正常水準。另外公司為穩定未來長期NAND Flash供貨來源以應付業務成長所需原料貨源，已與供應商簽訂供貨合約，並預先支付5000 萬美元，累計目前共約己預先支付9000 萬美元。公司向Toshiba及Hynix採購NAND Flash約90%的需求量。

營收比重方面，USB Drive約35%，Memory Card約35%，Controller IC約<10%，其中USB Drive及Memory Card因主要是代工，因此毛利率約10%左右，Controller IC毛利率約30%。公司預期10年成長動力主要是手機市場的Memory Card成長及內鍵Memory位元數的上揚，另外在USB Drive方面，公司已開發出具有加密功能的USB Drive，預期此產品將隨Win 7而成長。

Apple平板電腦iPad方面，1/26 Lunch，並於3月份量產，目前iSlate是採用64 GB的MLC SSD，ASP約100美元(BOM表約350美元，SSD價格約佔BOM表29%)，主要是向Samsung及Toshiba採購，由於Apple預計10年出貨量1000萬台，將可望去化約6-7%的NAND Flash產能，因此Apple採購NAND Flash的速率將可能影響NAND Flash的短期價格走勢。

10年成長動力方面，主要是手機市場的Memory Card成長及內鍵Memory位元數的上揚，另外在USB Drive方面，公司已開發出具有加密功能的USB Drive，預期此產品將隨Win 7而成長。在手機的Memory Card方面，公司目前約有30-40%銷往大陸市場，主要是以白牌手機為主，因Smart Phone的滲透率持續上揚，將有助Memory Card的成長。

SSD方面，以Apple的iSlate計算，目前ASP約1.56美元/GB，價格仍偏高，預期SSD要有明顯成長，ASP要下滑至1美元/GB，約佔BOM表2成以下，市場接受度才會放大。在NAND Flash的製程方面，目前主流製程已從43nm轉至32nm，而ASP要達到1美元/GB目標，製程要再提升至20nm，因此預期10年SSD的市場滲透率明顯提升的機會並不高。且各廠積極將MLC(Multi Level Cell) 轉至TLC (Triple Level Cell)，TLC及MLC的ASP相當，目前市場預期10年底TLC的產品比重可達3成，而Samsung的TLC進度明顯優於Toshiba。

公司預計先開發出USB 2.0 PHY，再投入USB 3.0 PHY的研發，主要是為未來USB 3.0與SSD的需求，康和認為此策略是正確的。目前USB 2.0，已在聯電以90nm投片，預計10’1Q Tap out，另外在10年1月已與NEC合作，採用NEC USB 3.0的IC，再搭載群聯的SSD Controller IC，公司預期2Q將推出內含USB 3.0及SSD Controller的Single Chip。康和認為因SSD的ASP仍偏高，因此預期SSD採用USB 3.0的10年營收貢獻仍低，建議以中性看待SSD產品。

預估10年營收307.73億元，YoY+25.81%，EPS14.86元，短線建議買進，目標價17倍P/E。

3553力積
力積4Q營收12.00億元，QoQ+9.17%、YoY+209.52%，EPS2.62元。09年營收35.31億元，YoY+27.56%，EPS5.86元。09年隨著市況的逐步復甦，再加上奇夢達退出市場，利基藉此機會順利切入LCD TV市場，順勢配合著中國政府大力救市，因而藉著中國需求的提昇而使得營收獲利逐漸恢復。預估1Q10將無淡季現象產生，預估1Q10 QoQ約成長5~10%。長線而言隨面板景氣復甦，驅動IC有供需仍有短缺疑慮，尤其在CP測試端已於3Q09調漲價格，在供應端持續保守的資本支出政策下未來旺季來臨時價格仍有上調空間。

在製程部分，預計10年完成70nm ready，70nm的256Mb預計在4月正式量產，128Mb部分預計1H10推出工程版樣品，在DRAM研發部分，由High Density往Low Density研發較為順利，因此力積採取此種與競爭對手相反的策略，初期而言，產品推出時程將較長，接續產品時程將逐步縮短，依據現今時程推估，客戶導入正式量產時程將落在4Q，因此70nm產品所帶來的爆發力將落在2011年，此時所帶來的獲利表現將更加強勁。

力積現行主力產品製程以90nm為主，相較於國內其他競爭對手0.13um/0.11um為主力，力積具備成本競爭優勢。在精爭對手製程尚處落後情況，且在力晶與力積關係緊密下，若在產能吃緊下，力積對產能掌握度將較同業高。

2010年力積最大成長動能在於LCD TV用利基型DRAM，10年面板各應用面積需求狀況中，LCD TV佔62%，LCD TV將由09年的1.25億台增加至10年的1.6台，其中中國LCD TV滲透律將最為強勁。力積除了成功搶占奇夢達退出市場後的市佔率外，尚成功與知名廠商搭配模組切入中國LCD TV市場，此部份營收將為LCD TV產線部分帶來顯著成長動能。

整體10年而言，整體大環境恢復成長帶動需求，LCD TV產線帶動成長，在HD產線預計將打入Seagate，整體預估2010年營收49.68億元，YoY+40.68%，EPS10.18元。短線在DRAM因進入淡季而報價易跌難漲情況下，投資建議買進，目標價14倍10年本益比。

全文網址: http://210.59.225.110/KMDJ/Report/ReportViewer.aspx?a=4b3955c9-5cc7-4a75-8a0f-a38d77b25bbd#ixzz1rbTWlm5O
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