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在台積電決定跳過22奈米直接投入20奈米製程研發後，全球晶圓(GlobalFoundries)日前也對外宣布，將傾力布局20奈米製程，並試圖以閘極優先(Gate First)的高介電層/金屬閘(Hight-k Metal Gate, HKMG)技術和極紫外光(EUV)微影技術與台積電進行區隔，預計將於2012年下半年進入風險生產(Risk Production)。
全球晶圓企業計畫管理部門副總裁Nick Kepler表示，20奈米是28奈米全世代(Full Node)微縮後的製程節點，也是許多客戶聚焦發展的重心，因此該公司也將在20奈米技術上投注最大心力，目前公司內部已著手進行資料庫架構評估及設計/技術最佳化的工作，同時與主要客戶密切進行討論，預計2011年下半年即可提供多專案晶圓(MPW)共乘服務(GlobalShuttle)。
值得注意的是，全球晶圓在20奈米的研發策略與台積電大不相同。首先，雙方對HKMG技術的實作方式各有所好，全球晶圓採用的是IBM技術陣營所推行的閘級優先方式，而台積電則以閘級後製(Gate Last)為主要發展取向。
Kepler指出，相較於閘級後製成本高且需額外的製程步驟，閘級優先的HKMG實作方式則較為簡單，也容易延展至下一製程世代，製程延續性極佳，同時還可最大化功率效率並擁有更小的裸晶尺寸。
另外，不同於台積電在20奈米節點同時押寶EUV與無光罩(Maskless)的電子束(E-beam)微影技術，全球晶圓則畢其功於EUV技術。Kepler透露，該公司已計畫跳過預量產工具導入階段，於2012年下半年於紐約Fab 8廠直接建置量產級EUV設備，全力達成在2014～2015年上線量產的目標。
Source: http://www.mem.com.tw/article_content.asp?sn=1010220007
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