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eMMC為MMCA協會(MultiMediaCard Association,多媒體卡協會)所訂立的內嵌式記憶體標準規格，主要是針對手機產品為主，簡化記憶體的設計，採用多晶片封裝(MCP)將NAND Flash晶片和控制晶片包成一顆晶片。 

eMMC擁有多功能，包括儲存以及取代NOR Flash的開機功能，最大的好處是，手機廠商不需要因為NAND Flash供應商或者不同製程世代而重新設計規格，需處理NAND Flash相容性和管理問題，手機客戶只需要採購eMMC晶片，放入手機，不僅縮短新產品的上市週期和研發成本，且加速產品的推出速度。 

快閃記憶卡各種規格當中，包括CF、MMC、SM、SD等不同的規格標準，而eMMC是由MMC卡所延伸出來的，為內嵌式記憶體的規格之一，而應用在手機的內嵌式標準規格除了eMMC，還包括SD協會設立的eSD規格，但是eMMC是內嵌式記憶體主流，已發展到eMMC4.3世代，下一代是eMMC4.4規格。 

PC挺不住　三星電子笑傲DRAM江湖    台美日業者結盟、拼轉型雙管齊下  2012/02/06-連于慧 

DRAM產業帶動台灣12吋晶圓廠遍地開花，曾經是台灣半導體業的驕傲之一，但經歷2011年DRAM報價二次崩盤後，台廠都已紛紛步上轉型，其實回顧過去10年全球DRAM業者投資產業的回報率，真正賺錢的只有三星電子(Samsung Electronics)，上一波金融海嘯帶來的傷害，事後也只有2家韓系大廠有把當時虧的錢賺回來，其他台美日DRAM廠都現在都還身陷泥淖中。

DRAM產業走到這一步，其實也不全然是DRAM業者的錯，畢竟過去10年來，個人電腦(PC)幾乎是全球科技產業的唯一依歸，也是唯一可追尋的應用，DRAM產業單靠PC產業驅動而穩定成長的成功方程式，過去一直很少被質疑，即使PC應用佔DRAM產業比重高達90%，業界在過去也不認為是什麼大問題。

車用電子在科技產業中扮演的角色越來越重要，記憶體業者在車用市場領域中積極尋找商機，台系旺宏和華邦2大序列快閃記憶體 (Serial Flash Memory) 供應商積極搶進車用NOR Flash市場的程度，幾乎是朝著外商窮追猛打，日前旺宏更是直接取下飛索(Spansion)的主要客戶飛思卡爾(Freescale)，以高容量256Mb的Serial Flash切入其儀表板的單晶片，視為台廠對上外商的一大勝利。

拜許多先進車用電子零件新引擎、音響、娛樂和導航系統等多媒體科技大幅採用之賜，汽車電子市場大餅越來越可觀，鋒頭有時更甚消費性電子產品，而過去車用電子領域因為只有引擎等先進技術，汽車大廠鮮少更換供應商，且常常一個零組件沿用時間高達5~10年，因此市場相當封閉。

然隨著音響、娛樂和導航系統都周邊電子產品商機進入車載市場後，車用電子領域熱鬧起來，也為零組件業者開啟商機大門，如過去都由外商把持的NOR Flash領域，台系NOR Flash大廠挾持序列式快閃記憶體(Serial Flash)全球領先的優勢，開始衝破外商防守大門，以窮追猛打方式逐漸攻入競爭對手的客戶。

SPI Flash = SPI + NOR Flash

全球序列式快閃記憶體(Serial Flash)勢力如日中天，利基型記憶體大廠華邦為鞏固既有SPI Flash市場，並開拓手持式和行動裝置領域，不但推進製程技術到最先進58奈米，且推出USON和WLBGA封裝超小尺寸的SPI Flash產品，朝智慧型手機、藍芽耳機等行動手持式領域布局。據華邦內部統計，SPI Flash晶片截至2011年第3季累計出貨量已突破10億顆，伴隨行動裝置需求趨勢起飛，未來出貨量將持續成長。華邦在記憶體領域轉型有成，成功擺脫PC DRAM箝制，尤其在NOR Flash領域更是節節逼近國際大廠，過去NOR Flash領域以並列式快閃記憶體(Parallel Flash)為主流，但這幾年SPI Flash應用崛起且逐漸取代Parallel Flash需求，讓台系SPI Flash雙雄華邦和旺宏逐漸嶄露頭角。

晶圓代工大廠聯電挑選單次可編程OTP(One Time Programmable)技術合作伙伴，美系NVM矽智財業者Kilopass雀屏中選。聯電與Kilopass合作將進入28奈米HKMG與Poly/SiON製程，未來在聯電的製程平台上，將採用Kilopass的XPM、Gusto和Itera NVM產品，而Kilopass也藉聯電之力打入大陸晶片設計業者市場，根據雙方協議，合作範圍將涵蓋0.13、0.11微米、55奈米的Anti-Fuse嵌入式NVM技術，更將進一步擴大28奈米HKMG製程。

近期晶圓代工廠與IP供應商合作愈趨緊密，尤其在嵌入式非揮發性記憶體矽智財領域，聯電正式宣布擴大與Kilopass合作，拓展既有製造協議範圍，而聯華和Kilopass的合作開始於2010年從40LP製程切入，目前持續穩定供貨給客戶中，隨著客戶對於聯電其他製程需求持續攀升，雙方決定合作範圍將擴大至0.13、0.11微米及55奈米上，提供Anti-Fuse嵌入式NVM技術。

聯電指出，雙方這次的合作協議將先由聯電的55SP製程開始，預期2011年第4季開始提供55SP解決方案，其他技術藍圖將會在2012年陸續推出，而聯電與Kilopass的合作計畫也將納入28奈米HKMG與Poly/SiON製程。

面對未來4G行動通訊的應用，旺宏以全球第一大串列式Serial NOR FLASH快閃記憶體供應商之勢，推出Quad 4x75Mh DTR技術、600Mb/s傳輸速率的高速串列式NOR，可簡化4G平台PCB佈線與降低成本；在面對浮閘設計的NAND Flash即將瀕臨微縮製程上的物理極限之際，旺宏提出藉由3D矽晶堆疊以及電荷捕捉技術(Charge Trap；CT)的導入，進一步驅動NAND FLASH記憶體容量密度的進展…

旺宏專注研發 為全球最大Serial Flash領導廠商

旺宏電子(Macronix)於1989年創立於台灣新竹科學工業園區，為擁有自有品牌及技術之非揮發性記憶體領導廠商。自創立以來，旺宏專注於自有技術及產品研發，近年來每年約投資營業額的10-12%於研發工作，專業研發團隊逾740人，約佔全公司員工之15.7%，累積取得全球專利逾4300項，其中65%為國際專利，卓越成果榮獲「100年國家發明創作獎」之貢獻獎。而美國權威調研諮詢機構專利委員會 (The Patent Board)於十月底最新公佈的專利排名結果，旺宏專利實力為台灣半導體業第一，全球排名18。

集邦科技(Trendforce)旗下研究部門 DRAMeXchange 整理各家記憶體模組廠營收調查與統計數字，近日公佈 2010年記憶體模組廠排行榜；該機構強調，由於記憶體模組廠營業項目日趨多元化，新發表的排行榜僅針對各家模組廠的記憶體營收數字作為排名依據。

 

全球DRAM市場在2008年的金融風暴逐步走入尾聲後， DRAM 顆粒價格自 2009年下半年開始反彈；沉寂已久的消費動能與換機潮帶動DRAM顆粒價格的上漲， DDR3 1Gb eTT顆粒在2010年3月底一度站上3.09美元， DDR2 1Gb eTT亦站上3.15美元近期高點，無論是DRAM廠與模組廠營收都有大幅度的成長，隨著2010年下半年景氣反轉，DRAM顆粒價格一路走跌，但與2009年相比，2010年對模組廠成長仍是表現不錯的一年。

 

根據集邦科技調查，2010年全球模組市場總銷售金額為93億美元，與2009年的63億美元相比，成長約54%；該市場營收的成長受惠於需求強勁與 DRAM 顆粒價格上漲。從模組廠方面來比較，前五大廠商就佔整體的銷售金額78%，前十名有幾乎囊括全球模組市場中91%的營業額，其中又以金士頓(Kingston)表現最為亮眼。

 

記憶體產業剖析
回應(0) 人氣(3830) 收藏(3) 2010/03/17 00:00 (康和證券 提供)
壹、記憶體體產業與產品成長率回顧—歷經三年衰退，10年重新向上

力積主要業務為利基型動態隨機存取記憶體之IC設計開發、銷售及技術服務
回應(0) 人氣(204) 收藏(0) 2008/10/22 00:00 (大慶證券 提供)
【投資建議】